型号：Whisper 0-40
产地：上海
Chemtron 氮气发生器提供纯净，安诠，经济的氮气钢瓶和液氮罐替代方案。> Whisper 氮气发生器在气体纯度，流量，压力方面经过专门设计，适用于 LC/MS 配套供气，并可以配合实验室氮吹仪等需要大流量氮气的应用> 采用
型号：WIND-80-380V
产地：上海
WIND 大流量氮气发生器采用中空纤维膜氮气发生技术，并标配了内置空压机，插电即用，并可灵活搬运，灵活安装，一台满足实验室的样品前处理需求。该系列产品适合于氮吹仪，吹扫补集，热脱附，蒸发光散射，固相萃取等仪器的氮气供应。产品特点> 采
型号：BTG250A
产地：上海
> 底阀规格：0-10mm，特 殊需求可选择 0～20mm> 五开口反应釜盖：中 心开口 :24/40，侧开口 :24/40(3 个 )，45° GL45 螺纹开口 (1 个 )> 反应釜釜体材质：高品质硼硅玻璃材质>
型号：EC50L-4
产地：上海
新款的 EZChem工艺反应系统全套包括独特的开放式不锈钢支架，顶置式搅拌器和玻璃部件。可选配恒温夹套安 全多歧管和导热油排放系统（统称 Manifold system)ChemTron EZChem 系列独特的支架和夹具系统可以简单快速的
型号：AEOLUS M
产地：上海
AEOLUS 模块式氮气发生器为实验室或工业灵活用气设计，提供纯净，安诠，经济，灵活的氮气供应方案。> 采用中空纤维膜过滤技术产生氮气> 模块化设计，有 40L/min 流量、80L/min 流量和 120L/min 流量模块，
型号：NMH2-300 plus
产地：上海
Chemtron 氢气发生器提供纯净，安诠，经济的氢气钢瓶替代方案。NM Plus 系列产品具有性能优异的 CPEM & CCELL 电解池技术和 氢气干燥解决方案，无须苛碱性溶液和再生型干燥剂即可提供持续纯净的氢气，适用于 GC 及 GC
型号：RACK-NM 160 Plus
产地：上海
Chemtron 氢气发生器提供纯净，安诠，经济的氢气钢瓶替代方案。RACK 机架系列产品较标准型产品具有严格的标准 19 寸机架设计，可以直接安装在机柜中，并具有自动补水功能，可长期连续工作，并可升级氢空一体机该产品具有性能优异的 CPE
型号：HV9
产地：上海
使用电解纯水制氢技术，利用冷干技术和变压吸附技术对氢气进行纯化，使产出氢气纯度可以达到 99.9995%科技 , 纯净> 具有第三方证书认定的 99.9995-99.9999% 气体纯度> 持续监测氢气浓度（以 O2 计）>
型号：STRIKE 385 M3
产地：上海
STRIKE 385 旋转蒸发仪继承了上一代产品的特点。大屏幕集成了加热浴槽温度，蒸汽温度，转速，真空度， 时间等参数，同时可设置程序控制。能够与优莱博冷却循环器，真空泵， 真空控制器，溶剂回收系统 等配套使用，为用户提供整套解决方案。&g
型号：WIND MS-5
产地：上海
WIND MS 液质用氮气发生器采用中空纤维膜技术，并内置液质用压缩空气供给系统，压力可达 12bar，确保出气压力的稳定性。为配套液质联用做了专门的长期运行设计和测试，插电即用，结构紧凑，移动方便，噪音低应用：液质联用，ELSD 蒸发光散
型号：CD-196A
产地：上海
产品特点：> 采用PID1 和ACC( Intelligent Cascade Control ) 温度控制技术，进行准确控温；> 采用ATC1（Absolute Temperature Calibration）温度校准，可以自
型号：HP 500+Oven
产地：上海
Chemtron 氮气发生器提供纯净，安诠，经济的氮气钢瓶替代方案N2 TOWER 系列产品使用 CPSA 变压吸附技术产生高纯氮气，氮气流量稳定，纯度高，可以作为 GC/GC-MS 载气（需要带 OVEN 型号）以及 ICP,HPLC-E
型号：STRIKE 285 M4
产地：上海
快速、Safe、稳定和易用。 提供可靠的分离，浓缩和纯化解决方案。 Strike 285 配备计时器，程序控制，自动提升等功能。 更多的保护措施，包括：过热设置和保护，断电时自动升起，实时监测蒸汽和冷却水温度等。技术参数型号STRIKE 2
型号：OHS.4
产地：上海
> 此系列仪器可轻松搅拌大体积、高粘度样品。> 可满足不同搅拌速度或不同扭矩的要求> 采用微电脑控制技术 , 确保转速恒定> 采用免维护无碳刷直流马达 , 适合实验室长时间高负荷工作> 两种速度范围可调 , 低
型号：PHYSICS 1000
产地：上海
技术参数型号PHYSICS 1000测量输入两个 Pt100 温度测量探针输入通道电绝缘性能半导体继电保护 (50 V)测量范围-200 ℃至 +400 ℃分辨率0.001 ℃自校准零点 , 测量电流JQ度测量值的 0.01 % ±3 位温