机械剥离氧化硅/硅基底单层二硫化钨是一种通过机械剥离法从二硫化钨块体上制备的单层薄膜材料。 机械剥离法，又称“胶带剥离法”，最早由Novoselov等人在2004年制备单层石墨烯时提出。该方法利用胶带和块体材料之间的摩擦和相对运动，使薄层从

CVD法（化学气相沉积法）在制备二硫化物材料方面发挥着重要作用，特别是针对二维层状金属二硫化物（如二硫化钼MoS2、二硫化钨WS2等）的制备。在制备二硫化物材料时，CVD法利用气态前驱体（如金属源和硫源）在加热的基片表面发生化学反应，生成所

LDOs（双金属氧化物）是由LDHs经特定温度焙烧得到，随着温度增加，通过脱水、脱羟基化、层间阴离子气化发生相变转为金属氧化物。XFL07是由XFL02 MgAl－LDH得到的。 层状双氢氧化物（LDHs）是一种类2D水滑石类材料，由带正电

NiPS3单晶，即硫磷化镍单晶，具有一系列独特的特点，这些特点使其在材料科学、电子器件及物理性能研究等领域具有广泛的应用潜力。NiPS3具有层状结构，其中镍、磷和硫原子以特定的方式排列形成层状。这种层状结构赋予了NiPS3一些独特的物理性质

四氧化三锰是一种黑色四方晶体，属于尖晶石类，离子结构为Mn2+(Mn3+)2O4，其中二价和三价锰离子分布在两种不同的晶格位置上。氧离子为立方紧密堆积，二价锰离子占四面体空隙，三价锰离子占八面体空隙。温度1443K以下时四氧化三锰为变形的四

纳米氧化锌是一种多功能性的新型无机材料，其颗粒大小约在1～100nm。由于晶粒的细微化，其表面电子结构和晶体结构发生变化。另外氧化锌表现出许多特殊的性质，具有极好的热稳定性和独特的力、光、电性质。 ZnO 是一种新型的宽禁带半导体氧化物材料

二硫化钨(WS2)是过渡族金属硫化物（TMDCs）的一种，具有类石墨烯层状结构，层间通过弱范德华力堆叠在一起。单层WS2由三层原子构成，W和S的原子平面都呈六角阵列方式排列，W原子夹在两层S原子之间形成了具有“三明治”结构的S-W-S原子层

碳分子筛（英文名：carbon molecular sieves，CMS），是20世纪末期发展起来的一种具有较为均匀微孔结构的碳质吸附剂，它具有接近被吸附分子直径的楔形狭缝状微孔，能够把立体结构大小有差异的分子分离开来。碳分子筛主要根据气体

单晶石墨烯是指具有单晶体结构特征的石墨烯材料。石墨烯本身是由单层碳原子构成的二维材料，而单晶体的石墨烯则强调其原子排列的高度有序性，无缺陷，这种结构赋予了它更加优异的物理性质。单晶石墨烯的制备技术多种多样，主要包括以下几种方法： 气相沉积法

Nanointegris单壁碳纳米管利用专利等离子体炬工艺制备而成。等离子体生长的SWCNTs具有较高的石墨化水平，直径（0.9-1.9 nm）和长度（0.5-4µm），与激光和电弧生长的SWCNTs非常接近。超纯化等离子体纳米管

多壁碳纳米管（Multi-walled carbon nanotube，简称MWCNTs）是一种重要的纳米材料，具有独特的结构和优异的性能。多壁碳纳米管是由多个同轴石墨圆柱面套构而成的空心小管，相邻的圆柱面之间的间距与石墨的层间距相当。多壁

中文名称：PEG化金纳米棒PEG化金纳米棒是在水溶性金纳米棒的基础上修饰上PEG的，生物相容性提升，且易于后期的修饰或偶联等实验。技术参数浓度：0.1mg/mL溶剂：水产品特点增强的稳定性：PEG 修饰提高了纳米棒在溶液中的稳定性，减少团聚

CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（如 Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和

NanoIntegris 提供的=半导体性单壁碳纳米管，是通过对电弧法制备的单壁碳管分离得到的，相比原始的单壁碳管，金属杂质含量=小于1%，含有约5%碘元素，源于残留的碘二醇，纯的粉末中没有碘二醇。为了获得高纯度的半导体性单壁碳纳米管，通常

碳纳米管是由碳原子组成的单质，可视为石墨烯卷曲形成的中空管状结构。在碳纳米管表面，碳原子彼此间以sp2杂化轨道形式成键，排列为正六边形的石墨层结构。理论上，这种正六边形结构**地均匀地分布于整个碳纳米管的表面。在拓扑上，石墨烯、碳纳米管所共