CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（如 Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和

技术参数状态：灰色粉末晶型:锐钛型孔径:～10 nm比表面积：～110m2·g-1孔容：～ 0.34 cm³·g-1粒径：10 ～ 30nm纯度：99%产品特点1.大比表面积：多孔结构使得二氧化钛的比表面积显著

钴磷硫单晶作为磁性半导体，具有特定的晶体结构和电子结构，这些结构特征使其在磁性、电学、光学等方面表现出独特的性质。 晶体材料通常具有固定的熔点和高度的有序性，这使得钴磷硫单晶在物理性能研究方面具有优势。磁性半导体（Magnetic semi

纳米银粉的粒径通常在1 - 100纳米之间。与宏观银颗粒相比，其粒径极小，这使得纳米银粉具有独特的物理和化学性质。例如，当银颗粒粒径减小到纳米级别时，其表面原子比例大幅增加，表面效应显著增强。 粒径的大小还会影响纳米银粉的颜色。一般来说，随

甲基修饰绿色荧光聚苯乙烯微球是在制备聚苯乙烯微球的过程中，添加荧光波长为498-516nm的绿色荧光染料，并修饰上甲基制得的。可定制尺寸范围20nm-5μm。这些微球具有均一的粒径分布，这使得它们在各种应用中表现出一致的性能，荧光染料被包埋

单通AAO模板（Single-Pass AAO Template）是一种多孔氧化铝模板，具有独特的纳米结构，在纳米材料、功能材料等领域有着广泛的应用。单通AAO模板的制备通常涉及多个步骤，包括铝片的预处理、阳极氧化、去铝基底等。其中，阳极氧

CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（如 Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和

名称：ACS MaterialCOF-TpPa-1(Covalent Organic Framework-TpPa-1)共价有机框架（Covalent Organic Frameworks, COFs）材料的概念最早在2005年由Yaghi

碳纳米管浆料是一种含有碳纳米管的复合材料。它主要是将碳纳米管均匀分散在溶剂中，同时还会添加分散剂等成分。碳纳米管是一种纳米材料，有良好的电学、力学等性能。把它制成浆料，可以让其更好地应用在不同场景。比如在锂电池生产中，这种浆料作为导电剂添加

聚集诱导碳点（aggregation-induced emission carbon dots，简称AIE CDs）是近年来研究的热点，因为他们能够在聚集状态下发光，这与传统的碳点材料不同，后者在固态时往往会因为π-π堆

氮化硼薄膜是一种由交替的硼原子和氮原子组成的二维材料，具有类石墨烯的蜂巢晶格结构。它继承了氮化硼块体材料的优异性能，包括力学、电学、热学和光学性能，并且由于其特殊的二维结构，拥有更多的特性和更广泛的应用前景。CVD法是通过将含有硼和氮元素的

近年来无金属单元素量子点的合成及生物性能研究受到了研究者的关注，如碳量子点(CQDs)、磷量子点（PQDs)、硅量子点（SiQDs)、硫量子点（SQDs)等。 硫量子点由于其原料来源丰富、无毒、化学稳定性好且具有良好的天然抗菌活性等有优点，

1T-VSe2是一种金属和电荷密度波（CDW）体系，在110K以下具有不相称的CDW状态。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。VSe2属于v族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的1T相VSe2晶体具有

MAX相是一种三元层状陶瓷材料，其中M为过渡族金属元素，A主要为第三主族和第四主族元素，X为碳或氮。这种材料的晶体单元排布为六方结构，空间点群为P63/mmc，其中M原子层和A原子层交替排列，形成类似于密堆积六方的层状结构，而X原子则填充于

碳点通常被定义为尺寸小于20纳米的准零维碳基材料，碳点根据形成机理、微纳结构和性质的不同，主要分为石墨烯量子点（GQDs）、碳量子点（CQDs）、碳化聚合物点（CPDs）等。CQDs由sp2和sp3团簇碳结构组成的准球形非晶相碳纳米晶体，周