SnSe2是一种具有间接带隙的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。二硒化锡属于14族过渡后金属二硫族。用HQ石墨烯制备的SnSe2晶体横向尺寸约为0.8 cm，具有金属外观。技术参数纯度: 99.995%尺寸:

油溶性金纳米颗粒是在水溶性金纳米颗粒的基础上修饰了芳香烃类的物质，可以分散在甲苯、二甲苯、三氯甲烷，甲苯，环己烷，DMSO，DMF，NMP，乙酸乙酯，二氯甲烷，正硅酸四乙酯等溶剂中。技术参数颗粒直径:5、10、15、20、40、60、80、

石墨相氮化碳（g-C3N4）是一种由碳原子和氮原子共同构成的新型材料，其晶体结构与二维石墨的层状结构类似，但具有更高的稳定性和独特的物理、化学性质。石墨相氮化碳是氮化碳同素异形体中最稳定的一种，具有超高的强度和化学惰性，可弥补金刚石热稳定差

新型二维纳米材料MXene，是利用MAX相中Ａ片层与MX片层之间的弱结合力，选用合适的刻蚀剂（如HF、LiF+HCl、NH4HF2等）将MAX相中的Ａ原子层剥蚀而制备的一种新型碳/氮化物二维纳米层状材料，兼具良好的导电性和亲水性，成功合成了

二氧化硅纳米粒作为常见的无机纳米粒，具有形貌可控，孔隙结构有序可调，比表面积大，表面功能基团易于修饰，生物相容性好等一系列优点，使其在生物医学、催化、环保、光学等领域得到广泛应用。根据二氧化硅纳米粒的形貌特征，可将其大致分为三种：实心二氧化

CVD法制备碳纳米管，具有方法成熟、产量大等优点被广泛应用。但CVD法制备碳纳米管往往需要引入催化剂，纳米管以催化剂粒子为中心,逐步沿径向和轴向方向生长。催化剂难以去除，成为制约提高碳管纯度一个重要因素，在一定程度上会限制碳管的应用。石墨化

CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（如 Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和

硒是人体必需的微量元素，在多种生理活动中发挥着至关重要的作用，对人体健康产生重大影响。硒缺乏会导致多种疾病的发生，而过量则可能有毒。近年来，硒纳米颗粒（Selenium nanoparticles, SeNPs）因其良好的生物相容性、低毒性

CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（如 Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和

HOPG，全称Highly Oriented Pyrolytic Graphite（高度取向热解石墨），是一种具有特殊晶体结构和物理性质的石墨材料。它是通过高温热解碳氢化合物气体（如甲烷、乙炔等）在特定条件下沉积在石墨基底上而制得的。由于沉

2H-WS2是一种间接带隙为～1.3 eV的半导体。单层2H-WS2具有直接带隙。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。二硫化钨属于六族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的2H相WS2晶体具有典型的横向

碳纳米管是由碳原子组成的单质，可视为石墨烯卷曲形成的中空管状结构。在碳纳米管表面，碳原子彼此间以sp2杂化轨道形式成键，排列为正六边形的石墨层结构。理论上，这种正六边形结构**地均匀地分布于整个碳纳米管的表面。在拓扑上，石墨烯、碳纳米管所共

羧基修饰橙色荧光聚苯乙烯微球是在制备聚苯乙烯微球的过程中，添加 540激发610发射的橙色荧光染料，并修饰上羧基制得的。可定制尺寸范围80nm-5μm。这些微球具有均一的粒径分布，这使得它们在各种应用中表现出一致的性能，荧光染料被

硫化铜（CuS）作为一种具有优异光学和电学性能的p型半导体，许多研究者都在发掘其在生物学上的应用。 Cu基纳米材料具有光子特性，包括PTT和PDT，硫族铜化合物（Cu2-xE, E: S, Se, Te, 0≤x≤1）在NIR范围内具有化学

机械剥离氧化硅/硅基底单层二硒化钼是一种通过机械剥离法从二硒化钼块体上制备的单层薄膜材料。 机械剥离法，又称“胶带剥离法”，最早由Novoselov等人在2004年制备单层石墨烯时提出。该方法利用胶带和块体材料之间的摩擦和相对运动，使薄层从