型号：PH20-Ge-D0
大光圈硅传感器光圈为10 mm直径3种型号硅 350 - 1080 nm，高达750 mW紫外硅 210 - 1080 nm，高达38 mW锗 800 - 1650 nm，高达500 mW衰减器选择OD0.3: 50% 传输(PH100-S
型号：QUAD-20-MT-P
测量，跟踪和对准根据您的激光束的去向4通道探测器独特的QUADrant 探测器技术，采用较高的分辨率感应激光束的位置对于CW，脉冲及高重复频率激光器QUAD-E：每次脉冲的能量（从μJ到mJ）QUAD-P：功率（从μW到mW）紫外至远红外和
型号：PH100-Si-HA-OD2-D0
大光圈硅传感器光圈为10 mm直径3种型号硅 350 - 1080 nm，高达750 mW紫外硅 210 - 1080 nm，高达38 mW锗 800 - 1650 nm，高达500 mW衰减器选择OD0.3: 50% 传输(PH100-S
型号：PH100-Si-HA-D0
大光圈硅传感器光圈为10 mm直径3种型号硅 350 - 1080 nm，高达750 mW紫外硅 210 - 1080 nm，高达38 mW锗 800 - 1650 nm，高达500 mW衰减器选择OD0.3: 50% 传输(PH100-S
型号：M6-6-In-L
Up to 200 kHz Pulse-to-PulseMeasure EVERY pulse, with no sampling, at high rep rates, up to 200 kHzCapture and Store up
型号：QE65LP-H-MB-D0
模块化概念提高检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块大孔径65 x 65 mm的有效孔径可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长噪声水平低MB涂层10 µJ测试目标包括M
型号：QE25LP-H-MB-D0
模块化概念提高您的检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块噪声水平低MB涂层2 µJ可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长可提供金属减震器QE12HR-MB: 1 000
型号：UP19K-30H-W5-D0
模块化概念提高探测器的功率：有5种不同的冷却模块损坏阈值非常高平均功率密度100 kW/cm2设计紧凑仅21 mm 厚（15S 型）能量模式测量单次能量上升可达 200 J
型号：QE50LP-S-MB-D0
模块化概念提高您的检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块噪声水平低MB涂层10 µJ可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长可提供金属减震器高重复率（4000 Hz）测试
型号：QE12LP-S-MB-D0
模块化概念提高您的检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块噪声水平低MB涂层0.7 µJ可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长可提供金属减震器QE12HR-MB: 1 0
型号：NDSET-6
激光功率管理CMOS 传感器的饱和点和损伤阈值都较低。因此，控制激光功率对于获得佳测量结果并避免损坏 BEAMAGE 相机来说非常重要。根据需要进行堆叠和衰减这些滤光片可降低所有波长的强度而不会影响光束的波前或使图像失真。许多滤光片可以直接
型号：XLP12-3S-VP-D0
低功率热电堆光学探测器的低噪音和热敏器件的宽幅大功率小的热漂移只有 6 µW/°C（带红外滤波片）高灵敏度200 mV/W（无红外滤波片）用于超短脉冲的特殊型号VP（容积吸收剂）版本特别适合发射超短脉冲的低功率激光器（ps和fs）红外滤波片
型号：QE65LP-H-MB-QED-D0
模块化概念提高检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块大孔径65 x 65 mm的有效孔径可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长噪声水平低MB涂层10 µJ测试目标包括M
型号：QE95LP-H-MB-D0
模块化概念提高检测器的可能功率：有两种不同的冷却模块大孔径95 mm直径的有效孔径可获得的QED衰减器测量不超过5倍的更高能量。提供可选的校准，所有波长都在532和1064纳米之间，或单一波长噪声水平低MB涂层15 µJ测试目标包括MB 型
型号：UP19K-110F-H9