2H In2Se3（α相）是一种半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以剥离成薄的 2D 层。α-In2Se3 属于第 13 族过渡后金属硫族化合物 （TMDC）。 硒化铟晶体的典型横向尺寸为 ～0.6-0.

碳量子点 CQDs是由sp2和sp3团簇碳结构组成的准球形非晶相碳纳米晶体，周围覆盖着丰富的含氧官能团如羟基、羰基、羧基等，其主要组成元素是C、H、O、N。CQDs的发光机理主要归结于这三种：量子限域效应、表面态发光、分子态发光。碳量子点由

氟化石墨烯，一种由氟原子与碳原子以共价键紧密结合而成的化合物，以（CFx）n 的化学结构式呈现，其中 x 处于 0 到 1.25 之间的不定值。这一数值的变化直接影响着氟化石墨烯的性质。C/F比值≤1的高氟化度氟化石墨烯具有优良的热稳定性，

钴磷硫单晶作为磁性半导体，具有特定的晶体结构和电子结构，这些结构特征使其在磁性、电学、光学等方面表现出独特的性质。 晶体材料通常具有固定的熔点和高度的有序性，这使得钴磷硫单晶在物理性能研究方面具有优势。磁性半导体（Magnetic semi

聚集诱导碳点（aggregation-induced emission carbon dots，简称AIE CDs）是近年来研究的热点，因为他们能够在聚集状态下发光，这与传统的碳点材料不同，后者在固态时往往会因为π-π堆

过渡金属硫族化合物（TMDs）如MoS2和WS2，因其独特的性能和巨大的潜力而受到广泛关注。在这些晶体中，强的面内键和弱的范德华力将层保持在一起，在目前的工作中，两种或更多的层状材料被进一步合金化成具有可调性能的新型层状材料，这使得制造新型

MAX相是一种三元层状陶瓷材料，其中M为过渡族金属元素，A主要为第三主族和第四主族元素，X为碳或氮。这种材料的晶体单元排布为六方结构，空间点群为P63/mmc，其中M原子层和A原子层交替排列，形成类似于密堆积六方的层状结构，而X原子则填充于

超级电容器用活性炭是一种具有独特性能的材料具有超大比表面积，这是其优异性能的基础。高比表面积意味着更多的电荷可以在电极表面存储，从而提高电容器的容量。 优良的导电性能使得电荷在电极内部和电极之间能够快速传输，有利于电容器的快速充放电。 合理

碳纳米管也叫巴基管，单壁碳纳米管可以看作是由单层石墨六边形网格平面沿手性 矢量卷绕而成的无缝空心圆管，两端一般由碳原子的五边形封顶 。因此碳纳米管中 的碳原子是以 sp2 杂化为主，一旦六边形网络结构形成空间拓扑结构时，可形成一定 的 sp

CVD法制备碳纳米管，具有方法成熟、产量大等优点被广泛应用。但CVD法制备碳纳米管往往需要引入催化剂，纳米管以催化剂粒子为中心,逐步沿径向和轴向方向生长。催化剂难以去除，成为制约提高碳管纯度一个重要因素，在一定程度上会限制碳管的应用。石墨化

机械剥离氧化硅/硅基底单层二硒化钨是一种通过机械剥离法从二硒化钨块体上制备的单层薄膜材料。 机械剥离法，又称“胶带剥离法”，最早由Novoselov等人在2004年制备单层石墨烯时提出。该方法利用胶带和块体材料之间的摩擦和相对运动，使薄层从

二氧化钛是一种多晶型的化合物，在自然界中有三种结晶形态：金红石型(Rutile)、锐钛矿型(Anatase) 、板钛矿型(Brookite) 。金红石型和锐钛矿型都属于四方晶系，但具有不同的晶格，因而X衍射图像不同，锐钛矿型二氧化钛的衍射角

2H-WS2是一种间接带隙为～1.3 eV的半导体。单层2H-WS2具有直接带隙。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。二硫化钨属于六族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的2H相WS2晶体具有典型的横向

CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（如 Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和

热电材料是一种能将热能和电能进行转换的功能材料，原理是利用其内部的载流子和声子来进行热能和电能的转化。热电材料能够有效工作主要依据3个物理效应，即塞贝克效应(Seebeck Effect,1794年被发现，指在两个不同导体之间出现的热向电转