WSe2是一种间接带隙为～1.3 eV的半导体，单层WSe2具有直接带隙。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。二硒化钨属于第六族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的WSe2晶体具有典型的横向尺寸为～0

FePS3 (铁磷硫) 是具有单斜晶体结构磁性半导体，晶体沿 0001 方向结晶，材料的光禁带理论为1-1.5eV。FePS3是一种具有吸引力的铁基磁性半导体（Magnetic semiconductor）是一种同时体现铁磁性（或者类似的效

氧化石墨烯（英文：Graphene Oxide，简称：GO），是石墨向石墨烯转变过程中的一类衍生物，即石墨氧化后经过超声剥离、分散和粉碎后得到的片层状物质，于1859年由牛津大学化学家本杰明·布罗迪（Benjamin Brodie

文名称:ACS Material 石墨烯电镜载网（氮化硅基底）CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（如 F

含有几个到几百个原子的金属纳米簇弥合了纳米粒子和分子化合物之间的差距，通常表现出类似分子的电学和光学性质，并且金属纳米簇具有较大的斯托克斯散射、尺寸和配体依赖性荧光特性的优点，是一类用于构建荧光平台的新兴材料。目前的研究主要集中在贵金属金和

CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（如 Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和

碳纳米管也叫巴基管，单壁碳纳米管可以看作是由单层石墨六边形网格平面沿手性 矢量卷绕而成的无缝空心圆管，两端一般由碳原子的五边形封顶 。因此碳纳米管中的碳原子是以 sp2 杂化为主，一旦六边形网络结构形成空间拓扑结构时，可形成一定 的 sp3

碳化铝钛（Ti3AlC2）是一种MAX相陶瓷材料（M代表过渡金属元素，A代表主族元素，X代表碳或氮），由钛、铝和碳三种元素组成，具有六方层状晶体结构。它结合了金属和陶瓷的优良性能，比如高导电性、耐高温、抗氧化、耐辐射腐蚀等。碳化铝钛的微观结

机械剥离氧化硅/硅基底单层二硫化钨是一种通过机械剥离法从二硫化钼块体上制备的单层薄膜材料。 机械剥离法，又称“胶带剥离法”，最早由Novoselov等人在2004年制备单层石墨烯时提出。该方法利用胶带和块体材料之间的摩擦和相对运动，使薄层从

英文名称：High Quality carbon nanotube 15-25nm多壁碳纳米管（Multi-walled carbon nanotube，简称 MWCNTs）是一种重要的纳米材料，具有独特的结构和优异的性能。多壁碳纳米管是由

多聚赖氨酸修饰的三氧化二铁磁性纳米颗粒由多聚赖氨酸(PLL)修饰的三氧化二铁(Fe2O3)核心和纯水组成。技术参数形态：褐色澄清水胶体颗粒直径: 10 nmzeta电位: +43.4mV主要成分: PLL@ Fe2O3、纯水备注：需用磁分离

二硫化钨(WS2)是过渡族金属硫化物（TMDCs）的一种，具有类石墨烯层状结构，层间通过弱范德华力堆叠在一起。单层WS2由三层原子构成，W和S的原子平面都呈六角阵列方式排列，W原子夹在两层S原子之间形成了具有“三明治”结构的S-W-S原子层

氧化锌是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体材料，有三种不同的晶体结构即四方岩盐矿结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构。一般来说，自然条件下，六方纤锌矿结构是主要结晶态，属六方晶系，空间群为P63mc，是氧化锌的热力学稳定相。室温下，其岩盐型结构是氧化锌

二氧化钛（TiO₂）是一种重要的白色无机颜料。从物理性质看，它是白色固体或粉末状物质，具有高折射率，这使它有很好的遮盖能力，能够有效地遮盖被涂覆物体的底色。其理论密度约为3.9 - 4.2克/立方厘米，熔点很高，在1843℃左右

Ni3TeO6具有刚玉型材料，具有极性R3空间群几何结构。先前的研究表明，Ni3TeO6晶体在～53 K的尼尔温度下表现出共线反铁磁有序，这导致了自旋诱导的铁电有序。Ni3TeO6晶体的生长需要相当仔细的合成条件，我们的新新性依赖于我们能够